半导体元件,储存元件,储存单元与储存元件的操作方法
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摘要
本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反转区、一第二反转区及位于第一反转区与第二反转区之间的一通道区。上述半导体元件还包括一控制闸极、至少一次闸极，而控制闸极位于上述通道区的上方，且次闸极位于上述第一反转区和第二反转区的上方，其中控制闸极不能延伸到此至少一次闸极的上方。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件,储存元件,储存单元与储存元件的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1845338A
申请号 ：
CN200610001563.8
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕函庭吴旻达赖二琨施彦豪何家骅谢光宇
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610001563.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/115
相关图片
法律状态
2009-05-06 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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