具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法
公开
摘要
本公开提供一种具有一去耦合单元的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底，包括一阵列区以及一周围区，该周围区邻近该阵列区设置；一第一去耦合单元，位于该基底的该周围区中；一存储单元，位于该基底的该阵列区中；一重分布结构，位于该基底的该周围区与该阵列区上；一中间隔离层，位于在该周围区中的该重分布结构上；以及一上导电层，位于该中间隔离层上。在该周围区上的该重分布结构、该中间隔离层以及该上导电层一起配置成一第二去耦合单元。
基本信息
专利标题 ：
具有去耦合单元的半导体元件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582821A
申请号 ：
CN202111031795.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-09-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄则尧施信益
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111031795.9
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768 H01L23/522 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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