制造限制性电荷存储器的方法
专利权的终止
摘要
一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层(oxide－nitride－oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极结构在曝露出来的ONO层上被形成。一个氧化物间隔沉积到该至少有一处曝露而形成栅极的ONO层的一部分上，没有被氧化物间隔覆盖的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一条位线形成在该曝露出来的基板上。本发明另一种制造局部限制性电荷存储器的方法，是在移除部分第一层多晶硅后，以一倾斜角度植入一布植囊袋穿过ONO层进入基板。
基本信息
专利标题 ：
制造限制性电荷存储器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881567A
申请号 ：
CN200610007766.8
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱骏仁刘光文陈昕辉黄俊仁
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
任默闻
优先权 ：
CN200610007766.8
主分类号 ：
H01L21/8247
IPC分类号 ：
H01L21/8247 H01L21/336
法律状态
2022-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8247
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20210220
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20210220
2008-12-24 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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