本公开提供一种半导体结构及其制造方法、存储单元、芯片，该半导体结构包括：形成于半导体衬底之上的电容器；依次形成于电容器和半导体衬底之上的第一层间介质层、支撑绝缘层和第二层间介质层；支撑绝缘层位于预设通孔弯曲产生区域内，预设通孔弯曲产生区域为在不采用支撑绝缘层的情况下预计通孔侧壁产生弯曲的部位。本公开在通孔侧壁可能发生弯曲的位置形成了支撑绝缘层，支撑绝缘层具有一定硬度，在刻蚀通孔的过程中，能够起到支撑作用，不会被刻蚀成弯曲的形貌，避免因电容器过高导致过度刻蚀造成通孔侧壁弯曲，从而减少了金属连接线中存在空洞的情况，避免因存在空洞导致金属连接线电阻变大的现象。