相变化存储元件及其形成方法
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摘要
本发明提供一种相变化存储元件及其形成方法，可降低相变化体积且具有较低驱动电流。该存储元件的形成方法包括，形成一底部绝缘层，包括一下电极接点；在该下电极接点上形成一下电极；在该下电极上形成一抗反射层；图案化及蚀刻该抗反射层及该下电极，形成一具有侧边的下电极；以及在该抗反射层上形成一相变化材料层，其中该相变化材料层与该下电极侧边相接触。该存储元件的形成方法更包括形成一上电极于该相变化材料层上，以及形成一上电极接点于该上电极上。本发明可降低制程复杂度及成本，且可降低写入电流。
基本信息
专利标题 ：
相变化存储元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1897320A
申请号 ：
CN200610001614.7
公开（公告）日 ：
2007-01-17
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄健朝
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610001614.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 H01L21/82
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法律状态
2009-06-03 ：
授权
2007-03-14 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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