电致发光元件形成方法
授权
摘要
一种电致发光元件(electroluminescence device；EL device)及其形成方法，电致发光元件包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素包括一第一区域以及第二区域。第一区域包括至少一第一电容与第二电容，第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层，第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。根据本发明可大幅提升储存电容值而不会降低开口率。
基本信息
专利标题 ：
电致发光元件形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101431053A
申请号 ：
CN200810184656.8
公开（公告）日 ：
2009-05-13
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙文堂
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN200810184656.8
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2011-01-19 ：
授权
2009-07-08 ：
实质审查的生效
2009-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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