一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。低操作功耗的相变存储单元包括衬底以及依次设置在衬底上的底电极、第一绝缘层、相变材料层、第二绝缘层和顶电极，第一绝缘层中设置有相变材料插塞柱，围绕相变材料插塞柱的周围设有第一应力材料层，第一应力材料层的材料为热应力材料，第二绝缘层中设置有顶电极插塞柱，相变材料插塞柱与顶电极插塞柱在衬底上的投影不重合。在相变材料插塞柱周围设置第一应力材料层，当相变材料插塞柱受热时，第一应力材料层会为相变材料插塞柱提供平行于衬底方向的压应力，进而降低相变材料的活化能，起到降低相变存储单元操作功耗的作用。

基本信息

专利标题：

一种低操作功耗的相变存储单元及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112909160A

申请号：

CN202110006493.X

公开（公告）日：

2021-06-04

申请日：

2021-01-05

授权号：

CN112909160B

授权日：

2022-04-08

发明人：

徐明徐开朗缪向水

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

代理机构：

杭州宇信联合知识产权代理有限公司

代理人：

王健

优先权：

CN202110006493.X

主分类号：

H01L45/00

IPC分类号：

H01L45/00