制作深沟渠电容和蚀刻深沟渠开口的方法
授权
摘要
提供一衬底，其上有氧化硅层、第一氮化硅层、浅沟隔离、第二氮化硅层，形成图案化多晶硅层于第二氮化硅层上，利用图案化多晶硅层进行蚀刻，以形成深沟渠开口，蚀刻去除图案化多晶硅层，同时蚀刻衬底以加深深沟渠开口以及填入一电容结构于深沟渠开口中。
基本信息
专利标题 ：
制作深沟渠电容和蚀刻深沟渠开口的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000894A
申请号 ：
CN200610005186.5
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶大川钟倪闵黄国书林永昌李瑞池王建国
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005186.5
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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