瓶型沟渠的形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种瓶型沟渠(bottle－shaped trench)的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底。于该半导体衬底中形成一沟渠。在该沟渠中形成一离子注入掩模层，露出该沟渠的上部侧壁表面。对上部侧壁表面进行一抑制氧化的离子注入工艺。去除该离子注入掩模层，露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面。进行一热氧化工艺，使沟渠的表面形成一氧化层，其中上部侧壁表面上的氧化层厚度远小于下部侧壁表面以及底部表面的氧化层厚度。并且移除氧化层，而形成该瓶型沟渠。
基本信息
专利标题 ：
瓶型沟渠的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949460A
申请号 ：
CN200510106791.7
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈全基苏扬尧
申请人 ：
茂德科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106791.7
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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