一种MIM电容及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种MIM电容及其制作方法，所述制作方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成抗反射层；光刻并刻蚀所述第一金属层和所述抗反射层，以定义MIM电容区域，所述MIM电容区域中的所述第一金属层作为MIM电容的下极板，所述MIM电容区域中的所述抗反射层作为MIM电容的介质层；在所述MIM电容区域中的所述抗反射层上形成MIM电容的上极板。本发明的制作方法在刻蚀后的刻开区域中保留下来的抗反射层同时作为电容的介质层，继续在刻开区域中填充金属作为上极板，不再需要制作额外的电容的介质层，也不再需要额外的光刻工艺来定义上极板区域，减少了光刻和刻蚀的次数，从而降低了工艺成本，缩短了工艺周期。
基本信息
专利标题 ：
一种MIM电容及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111199953A
申请号 ：
CN201811364078.6
公开（公告）日 ：
2020-05-26
申请日 ：
2018-11-16
授权号 ：
CN111199953B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
金宏峰
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
董巍
优先权 ：
CN201811364078.6
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-06-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20181116
申请日 : 20181116
2020-05-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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