电容器结构及其制作方法

授权

摘要

本发明公开一种电容器结构及其制作方法。该电容器结构包含一半导体基板；一介电层，设于该半导体基板上；一存储节点接垫，设于该介电层中；以及一圆柱状下电极，包括一底部，陷入该介电层中，并与该存储节点接垫接触，其中该底部并延伸至该存储节点接垫的一侧壁上。

基本信息

专利标题：

电容器结构及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108269789A

申请号：

CN201611252356.X

公开（公告）日：

2018-07-10

申请日：

2016-12-30

授权号：

CN108269789B

授权日：

2022-05-03

发明人：

张峰溢李甫哲詹益旺陈界得

申请人：

联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201611252356.X

主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H01L23/64 H01L27/108

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/58

其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置

H01L23/64

阻抗装置

法律状态

2022-05-03 ：

授权

2022-04-12 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 23/64
变更事项 : 申请人
变更前 : 联华电子股份有限公司
变更后 : 联华电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
变更后 : 中国台湾新竹市
变更事项 : 申请人
变更前 : 福建省晋华集成电路有限公司
变更后 : 福建省晋华集成电路有限公司

2019-06-07 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20161230

2018-07-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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