一种GIP电容结构及制作方法
授权
摘要
一种GIP电容结构及制作方法，本结构包括依次排布的基层、栅极层GE、栅极绝缘层GI、阻隔层ES、电极层SD、钝化层PV、第三电极层CM，所述第三电极层的部分穿透钝化层PV、阻隔层ES、栅极绝缘层GI，与栅极层GE连接，电极层SD与第三电极层CM不接触，电极层SD与第三电极层CM不接触。上述方案在兼容原有制程下，利用TIC结构的触控电极CM Layer与SD电极间形成第二存储电容，原有的C1与C2并联，Cox＝C1+C2。可提升容值，或者有效减小电容的面积的效果，若原有7T2C GIP电路设计中，实现窄边框。
基本信息
专利标题 ：
一种GIP电容结构及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110568644A
申请号 ：
CN201910670982.8
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN110568644B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
阮桑桑
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN201910670982.8
主分类号 ：
G02F1/1333
IPC分类号 ：
G02F1/1333 H01L27/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
G02F1/1333
构造上的设备
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/1333
申请日 : 20190724
申请日 : 20190724
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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