三维存储器及其制作方法
授权
摘要
本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器包括：第一衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载存储阵列；第一介质层，覆盖所述第一衬底的第一表面；焊盘结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，所述焊盘结构与所述三维存储器的控制电路电连接；至少两个隔离结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，沿平行于所述第一衬底的第一方向，所述焊盘结构位于第一个所述隔离结构和第二个所述隔离结构之间。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161362A
申请号 ：
CN202110275389.0
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-03-15
授权号 ：
CN113161362B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨盛玮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘恋
优先权 ：
CN202110275389.0
主分类号 ：
H01L27/11548
IPC分类号 ：
H01L27/11548 H01L27/11551 H01L27/11575 H01L27/11578 H01L21/768
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11548
申请日 : 20210315
申请日 : 20210315
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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