一种磁性存储器件及其制作方法、存储器和神经网络系统
授权
摘要
本发明涉及一种磁性存储器件及其制作方法、存储器和神经网络系统，该磁性存储器件包括自由层；自由层包括至少两个磁矩方向可变的铁磁层和至少一个退耦合层，至少一个退耦合层中的每个退耦合层设于至少两个铁磁层中的两个铁磁层之间，两个铁磁层之间的退耦合层使得两个铁磁层之间无耦合作用。本申请提供的磁性存储器件，当自由层中铁磁层的磁矩方向发生变化时，将导致该磁性存储器件出现四种或四种以上的磁矩状态，每种磁矩状态可表示一种二进制逻辑信息，如此，可以实现多值存储；另外将该磁性存储器件应用于神经网络系统，可以实现卷积计算中的多种权重系数。
基本信息
专利标题 ：
一种磁性存储器件及其制作方法、存储器和神经网络系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111725386A
申请号 ：
CN201910897594.3
公开（公告）日 ：
2020-09-29
申请日 ：
2019-09-23
授权号 ：
CN111725386B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
郎莉莉叶力
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201910897594.3
主分类号 ：
H01L43/02
IPC分类号 ：
H01L43/02 H01L43/12 G11C11/16
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/02
申请日 : 20190923
申请日 : 20190923
2020-09-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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