磁性随机处理存储器装置
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摘要

本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置,包括一存储单元,存储单元的读取容限是超过存储单元内磁阻元件的磁阻比率。存储单元是包括一磁阻元件,一参考晶体管、以及一放大晶体管。磁阻元件可包括一个夹于两电极层中间的磁性穿隧接面。其中一个电极层可连接至一输入节点,而输入节点亦连接至参考晶体管的漏极或源极以及放大晶体管的栅极。放大晶体管的漏极经由一导电程序线连接至一感测放大器。存储单元是利用流经磁阻元件的电流来控制放大晶体管栅极至源极的电压,并依据横跨放大晶体管的压降(或损失电流)以感应存储单元的状态。本发明使读取容限增加,故磁阻元件间差异所导致的影响即使未能消除,也可大幅度的降低。

基本信息
专利标题 :
磁性随机处理存储器装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1851822A
申请号 :
CN200510109273.0
公开(公告)日 :
2006-10-25
申请日 :
2005-10-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
廖忠志
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN200510109273.0
主分类号 :
G11C11/15
IPC分类号 :
G11C11/15  H01L27/105  H01L43/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2009-06-24 :
授权
2006-12-20 :
实质审查的生效
2006-10-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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