基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法
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摘要

本发明涉及一种基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器,其使用闭合状磁性多层膜或闭合状含金属芯的磁性多层膜作为存储单元。该MRAM是通过流经存储单元中的电流的大小和方向来实现读操作和写操作;或是通过对存储单元中的金属芯施加的电流来实现写操作,通过对存储单元中的闭合状磁性多层膜施加的隧穿电流来实现读操作。与现有技术相比,该MRAM通过采用新的闭合状的磁性多层膜作为存储单元,利用正负两个方向的极化隧穿电流自身产生的环行磁场或者金属芯中正负两个方向的驱动电流产生的环形磁场,并结合自旋转力矩效应,进行数据的读写操作,使得MRAM的控制更加简便,并降低了结构的复杂性、制造工艺难度及成本,提高了应用价值。

基本信息
专利标题 :
基于闭合状磁性多层膜的磁性随机存取存储器及控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1901088A
申请号 :
CN200610011168.8
公开(公告)日 :
2007-01-24
申请日 :
2006-01-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
韩秀峰马明姜丽仙韩宇男覃启航魏红祥
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200610011168.8
主分类号 :
G11C11/15
IPC分类号 :
G11C11/15  G11C7/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
G11C11/15
应用多层磁性层的
法律状态
2009-04-08 :
授权
2007-03-21 :
实质审查的生效
2007-01-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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