本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置，包括一存储单元，一参考结构，以及一感测装置。该存储单元包括一磁阻元件与一传递晶体管。该传递晶体管，参考电路，以及该感测装置是连接至一输入节点。该存储单元的逻辑态可通过一读取操作而侦测得到，其中该读取操作是利用该感测装置感测该输入节点的电压而达成。该输入节点的电压是依据该磁阻元件的状态而改变。该参考结构提供一电压压降，因此可允许该存储单元的读取电压增加，从而使读取时间减少。该磁阻元件可包括一介于两个电极层间的磁性穿隧结。该等电极层当中之一是连接至一位线，另一个则连接至该传递晶体管。该磁性随机处理存储器装置，具有较快速的读取时间。