磁性随机存取存储器结构

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摘要

本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)结构，包含一晶体管，包含有一栅极、一源极以及一漏极，一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction，MTJ)元件，至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层，其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间，该自由层位于该绝缘层之上，其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line，BL)电连接，该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接，该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line，SL)，以及一第一导电通孔(via)，直接接触该MTJ元件，其中该第一导电通孔的材质包含钨。

基本信息

专利标题：

磁性随机存取存储器结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110739326A

申请号：

CN201810794914.8

公开（公告）日：

2020-01-31

申请日：

2018-07-19

授权号：

CN110739326B

授权日：

2022-05-24

发明人：

朱中良王裕平陈昱瑞

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201810794914.8

主分类号：

H01L27/22

IPC分类号：

H01L27/22 H01L23/532 H01L23/528 H01L23/48