三维存储器的制作方法及三维存储器
授权
摘要
本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，所述方法包括：在衬底表面形成堆叠结构以及覆盖所述衬底表面和所述堆叠结构的绝缘介质层；在覆盖所述衬底表面的绝缘介质层中，形成围绕所述堆叠结构的第一沟槽；在所述第一沟槽的顶部形成第二沟槽；其中，所述第二沟槽的底部显露所述第一沟槽，所述第二沟槽的开口宽度大于所述第一沟槽的开口宽度；通过所述第二沟槽的开口，填充所述第一沟槽，形成第一密封结构；填充所述第二沟槽，形成第二密封结构。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器的制作方法及三维存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112164695A
申请号 ：
CN202010962756.X
公开（公告）日 ：
2021-01-01
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN112164695B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
范光龙陈金星徐伟刘丽君陈广甸
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘鹤
优先权 ：
CN202010962756.X
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11582 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-01-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20200914
申请日 : 20200914
2021-01-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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