一种高压集成电路
公开
摘要
本发明公开了一种高压集成电路，包括施密特电路、滤波器、电平转换电路、双脉冲发生器、单DMOS驱动电路和输出电路；所述施密特电路的输入端与输入信号电连接，所述施密特电路的输出端与所述滤波器的输入端电连接，所述滤波器的输出端与所述电平转换电路的输入端电连接，所述电平转换电路的输出端与所述双脉冲发生器的输入端电连接，所述双脉冲发生器的输出端与所述单DMOS驱动电路的输入端电连接，所述单DMOS驱动电路的输出端与所述输出电路电连接；所述单DMOS驱动电路用于将来自所述双脉冲发生器的两路脉冲信号进行合并和分频；本申请旨在提供一种高压集成电路，通过采用单DMOS驱动电路减少电路中DMOS管之间的相互干扰，同时减少设计空间。
基本信息
专利标题 ：
一种高压集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614805A
申请号 ：
CN202210250667.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯宇翔左安超
申请人 ：
广东汇芯半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
代理机构 ：
佛山市禾才知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹振
优先权 ：
CN202210250667.1
主分类号 ：
H03K17/16
IPC分类号 ：
H03K17/16 H03K17/567 H03K17/687
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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