屏蔽式高压集成电路
授权
摘要
本发明公开一种屏蔽式高压集成电路，其包括：驱动高压晶体管栅极的驱动装置；控制栅极驱动装置的控制装置；高位转换装置和低位转换装置，其中：栅极驱动装置被环形的高电压结端点结构HVJT所围绕；高位转换装置位于HVJT环形外面，低位转换装置位于HVJT环形里面。本发明还公开了一种方法和装置，用于防护高压半导体器件以及高电压结端点结构的电场分布不受上方的连接线的影响。根据本发明的所提出的方法和装置可以防止器件击穿电压的下降。同时，减小了电路面积，并且消除或最小化了传统技术所固有的寄生电阻。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽式高压集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835237A
申请号 ：
CN200610059578.X
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢正人
申请人 ：
美国芯源系统股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610059578.X
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2010-12-22 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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