一种高压集成电路及其控制方法
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摘要
本发明公开了一种高压集成电路，属于半导体技术领域，第一单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第一单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接；移位寄存器的清零管脚与MCU处理器的清零信号输出端电连接，移位寄存器的时钟管脚与MCU处理器的PWM输出端电连接；移位寄存器的输出端与第二单脉冲GEN的输入端电连接，第二单脉冲GEN的上升沿输出端与第一或门的输入端电连接，第二单脉冲GEN的下降沿输出端与第二或门的输入端电连接。还公开了一种高压集成电路的控制方法。所述高压集成电路及其控制方法解决了RS触发器产生的控制信号不准确的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高压集成电路及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337628A
申请号 ：
CN202210227837.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
CN114337628B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
冯宇翔李斌谢荣才
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
佛山市禾才知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆应健
优先权 ：
CN202210227837.4
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567 H03K7/08 H03K17/687
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/567
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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