用于集成电路组件的贯穿衬底的底部填充形成
公开
摘要
一种集成电路封装可以通过借由电子衬底中的开口将底部填充材料设置在电子衬底和集成电路装置之间来制造。在一个实施例中，集成电路组件可以包括具有第一表面和相对的第二表面的电子衬底，其中电子衬底包括从第一表面延伸到第二表面的至少一个开口。集成电路组件还可以包括集成电路装置，其中集成电路装置利用至少一个互连而电附接到电子衬底，并且底部填充材料可以设置在电子衬底的第一表面与集成电路装置之间，其中底部填充材料的一部分延伸到电子衬底中的开口中。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路组件的贯穿衬底的底部填充形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597185A
申请号 ：
CN202111269152.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·H·吴K·戴维森M·S·林K·拜德J·韦德
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202111269152.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/50 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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