用于集成电路组件的穿衬底空隙填充
公开
摘要
集成电路组件可以包含各种模制、填充和/或底部填充材料。随着这些集成电路组件变得越来越小，防止在这些材料内形成可能影响集成电路组件的可靠性的空隙变得具有挑战性。由于集成电路组件通常是通过将集成电路管芯电附接在电子衬底上而形成的，因此本说明书提出经电子衬底中形成的开口注入模制、填充和/或底部填充材料以填充可能形成的空隙和/或完全防止空隙的形成。
基本信息
专利标题 ：
用于集成电路组件的穿衬底空隙填充
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597177A
申请号 ：
CN202111269842.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·洛坦恩Y·徐E·P·P·拉巴达姆
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
舒雄文
优先权 ：
CN202111269842.3
主分类号 ：
H01L23/13
IPC分类号 ：
H01L23/13 H01L23/18 H01L23/31 H01L23/48 H01L25/16 H01L25/18 H01L21/48 H01L21/60 H01L21/54 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/13
按形状特点进行区分的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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