一种存储器集成微系统
公开
摘要
本发明涉及存储器集成电路领域，提供了一种存储器集成微系统，包括：有机基板、电源芯片、FLASH裸芯片组、A组DDR存储裸芯片、B组DDR存储裸芯片、IPD终端电阻组件、总线接口端、电源接口端。其中，多片DDR存储裸芯片进行错位堆叠，DDR存储裸芯片通过键合引线与有机基板互联，再通过基板内部走线扇出至微系统PAD引脚。FLASH裸芯片组中各片FLASH裸芯片错位堆叠，通过有机基板上的相应焊盘连接基板内埋总线的相应引脚。此外，基板内部互联完成了DDR存储系统的拓扑、扩展以及等长等难点设计，可以构建出结构灵活、集成度高、可支持模块化与快速开发应用的存储系统集成电路，大大降低系统设计复杂度，加速系统应用开发。
基本信息
专利标题 ：
一种存储器集成微系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582811A
申请号 ：
CN202210108863.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肖国尧万相宏全英汇孙宗正柯华锋
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
惠文轩
优先权 ：
CN202210108863.5
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L23/04 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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