集成电路结构和存储器
授权
摘要
本公开提供了一种集成电路结构和存储器，涉及半导体存储器技术领域。该集成电路结构包括：焊盘区域，包括沿目标方向配置的多个信号焊盘；第一电路区域，设于所述焊盘区域的一侧，包括沿所述目标方向配置的且分别与各所述信号焊盘对应连接的多个信号输入电路模块，各所述信号输入电路模块用于实现输入信号的采样操作并将采样结果写入存储阵列；其中，所述第一电路区域沿所述目标方向的尺寸小于所述焊盘区域沿所述目标方向的尺寸。本公开可以提高存储器写操作的性能。
基本信息
专利标题 ：
集成电路结构和存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020081378.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN210805229U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
张良
申请人 ：
长鑫存储技术（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元（名义楼层9层）
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202020081378.X
主分类号 ：
G11C5/02
IPC分类号 ：
G11C5/02 G11C5/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
G11C5/02
存储元件的排列，例如，矩阵形式的排列
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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