本发明提供了一种MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，将衬底放入反应腔室内，向反应腔室通入反应气体，以及通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底上沉积形成薄膜。其中，反应气体包括硅源、氮源和稀释气体，反应腔室的压力介于1.8Torr～2.0Torr之间，射频的低频功率介于130W～160W之间，硅源的流量介于540sccm～660sccm之间，氮源的流量介于4950sccm～6050sccm之间，稀释气体的第一流量介于8100sccm～9900sccm之间，第二流量介于8300sccm～10100sccm之间。与现有技术相比，反应腔室的压力增加，射频的低频功率降低，稀释气体的流量增加，硅源与氮源的流量配比调整，通过各工艺参数的改变，不仅可以改善单一衬底内部膜厚的均一性，还可以改善批量衬底的膜厚均一性，从而提高MIM电容器的可靠性。