薄膜电容器
授权
摘要
在薄膜电容器(1)中，电极端子层(30)和电容部(10)的电极层(11)通过沿绝缘层(40)的厚度方向贯穿设置的通孔导体(即，第一配线部(43A)和第二配线部(43B))分别连接到电极端子(20A～20C)，由通孔导体(43A、43B)实现沿厚度方向的短电路配线。在薄膜电容器(1)中，旨在实现多个电极端子(20A～20C)的多端子化并实现电路配线的缩短，从而可以获得具有低ESL的薄膜电容器。
基本信息
专利标题 ：
薄膜电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110024066A
申请号 ：
CN201880004510.2
公开（公告）日 ：
2019-07-16
申请日 ：
2018-02-13
授权号 ：
CN110024066B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
角田晃一富川满广吉川和弘吉田健一
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN201880004510.2
主分类号 ：
H01G4/33
IPC分类号 ：
H01G4/33
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/33
薄膜或厚膜电容器
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-08-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/33
申请日 : 20180213
申请日 : 20180213
2019-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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