薄膜电容器
授权
摘要
本发明涉及薄膜电容器,包括电介质薄膜和电极层,所述电介质薄膜包括金属衬底以及依次形成于所述金属衬底上的第一金属层、第二金属层、第二金属氧化物层和第二金属氧化物薄膜,所述电极层形成于所述第二金属氧化物薄膜上;其中,所述第一金属层的材料与所述金属衬底的材料相同;所述第一金属层的表面还设有所述第二金属层中的第二金属与第一金属层中的第一金属结合而形成的合金层。本发明的薄膜电容器中,电介质薄膜为储能陶瓷薄膜,介电常数高,储能性能好。而且,电介质薄膜中的各层之间结合牢固,电介质薄膜的可靠性强。使用该电介质薄膜代替高分子薄膜,可促进薄膜电容器面向小型化、轻薄化、高集成化和多功能化的趋势发展。
基本信息
专利标题 :
薄膜电容器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110767450A
申请号 :
CN201811196367.X
公开(公告)日 :
2020-02-07
申请日 :
2018-07-27
授权号 :
CN110767450B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
冯雪王志建陈颖
申请人 :
浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请人地址 :
浙江省嘉兴市南湖区浙江清华长三角研究院B座15层
代理机构 :
杭州华进联浙知识产权代理有限公司
代理人 :
李丽华
优先权 :
CN201811196367.X
主分类号 :
H01G4/12
IPC分类号 :
H01G4/12 H01G4/33
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-03-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/12
申请日 : 20180727
申请日 : 20180727
2020-02-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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