带有MIS(金属-绝缘体-半导体)集成电容器的单片集成电...
被视为撤回的申请
摘要
为了采用硅栅工艺实现高质量MIS集成电容器，硅电极是以条纹形状形成的，其边长与边宽比大于100∶1。该MIS集成电容器尤其适用于降低频率范围约为50到100MHZ的VLSI电路中的干扰。
基本信息
专利标题 ：
带有MIS(金属-绝缘体-半导体)集成电容器的单片集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101388A
申请号 ：
CN85101388
公开（公告）日 ：
1987-01-31
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沃尔夫冈·高林厄约辛·布鲁尔
申请人 ：
德国ITT工业有限公司
申请人地址 ：
联邦德国弗赖布尔格
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85101388
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/94
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
1988-10-19 ：
被视为撤回的申请
1987-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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