具有平行沟槽型电容器的三维存储器装置
公开
摘要
本公开涉及一种具有平行沟槽型电容器的三维存储器装置。提供了一种3D存储器装置。该3D存储器装置可以包括基板上的逻辑器件层和层叠在逻辑器件层上的存储器件层。逻辑器件层可以包括设置在基板上的逻辑器件。存储器件层可以包括设置在延伸区域中的字线层叠体、设置在字线层叠体中的阶梯图案、外围区域中的介电层层叠体以及嵌入在介电层层叠体中的电容器。
基本信息
专利标题 ：
具有平行沟槽型电容器的三维存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597217A
申请号 ：
CN202110746901.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金原奭
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110746901.5
主分类号 ：
H01L27/11526
IPC分类号 ：
H01L27/11526 H01L27/11556 H01L27/11582 H01L27/11573 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11526
以外围电路区为特征的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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