提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
在此提供一种结构，其包括至少具有布置在SOI衬底的掩埋氧化物层之下的部分的沟槽电容器阵列。各沟槽电容器共享一个公共单块电容器掩埋板，该公共单块电容器掩埋板包括布置在掩埋氧化物层之下的第一单块半导体区域的至少一部分。电容器掩埋板的上边界定义一个平行于衬底主表面的平面，其在整个沟槽电容器阵列上横向延伸。在具体实施方式中，其始于SOI或体衬底，同时形成阵列的沟槽和接触孔，使得该接触孔延伸到基本与沟槽相同的深度。接触孔优选具有基本大于沟槽的宽度，使得可通过用来形成沿沟槽壁延伸的沟槽电容器的处理，同时形成导电接触通路。
基本信息
专利标题 ：
提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832183A
申请号 ：
CN200610057721.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程慷果拉梅钱德·戴瓦卡鲁尼赫伯特·L·霍卡尔·J·拉登斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
冯谱
优先权 ：
CN200610057721.1
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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