具有至沟槽接触部的自对准过孔的掩埋电源轨
公开
摘要
公开了通过将金属栅极切口形成为对栅极侧壁无选择性的开口而制造的晶体管布置结构。如果开口至少部分地填充有导电材料，则蚀刻工艺可以用于提供电源轨。一旦在开口内沉积了导电材料以形成电源轨，使这种材料在电源轨的面对各种晶体管的栅极堆叠体的部分中凹陷可以在减小寄生电容方面提供进一步的改进。当电源轨的导电材料凹陷以实现自对准到沟槽接触部的过孔时，用于将用于将电源轨电耦合到晶体管的S/D区的沟槽接触部的掩模可以用作掩模。
基本信息
专利标题 ：
具有至沟槽接触部的自对准过孔的掩埋电源轨
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512484A
申请号 ：
CN202111197622.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·布歇A·C-H·韦C·朴
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202111197622.4
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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