包括自对准超级过孔的过孔结构及其制造方法
公开
摘要
提供了包括自对准超级过孔的过孔结构及其制造方法。一种半导体装置结构包括：至少一个金属间层，在竖直方向上堆叠；以及第一过孔结构，穿透所述至少一个金属间层，其中，在所述至少一个金属间层中，所述第一过孔结构的第一竖直侧不接触阻挡金属图案，而第一过孔结构的与第一过孔结构的第一竖直侧相对的第二竖直侧接触阻挡金属图案。
基本信息
专利标题 ：
包括自对准超级过孔的过孔结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388432A
申请号 ：
CN202110978915.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李义福徐训硕裵泰龙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘美华
优先权 ：
CN202110978915.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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