探测卡及其制造方法以及对准方法
专利权的终止
摘要
本发明揭示一种探测卡及其制造方法以及对准方法。对于半导体晶片上形成的多个半导体集成电路元件的电气特性集中统一进行检查用的探测卡，采用具有形成与前述多个半导体集成电路元件的全部检查用电极同时接触用的多个凸点、并保持在刚性陶瓷环(14)上的带凸点的薄膜(13)的探测卡。在带凸点的薄膜(13)上附加由与接触用凸点同时形成的凸点构成的对准标记(19)。由于对准标记(19)可确保相对于接触用凸点的相对位置，因此以对准标记(19)为基准，能够用图像处理装置很容易测定接触用凸点的位置精度的变化，并根据该测定结果，能够计算出与检测对象晶片的检查用电极最佳的接触位置。
基本信息
专利标题 ：
探测卡及其制造方法以及对准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812070A
申请号 ：
CN200510136150.6
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田健司中田义朗
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200510136150.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G01R1/067 G01R31/26 G01R31/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2019-12-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20100922
终止日期 : 20181220
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20100922
终止日期 : 20181220
2015-11-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101723804478
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101361506
登记生效日 : 20151028
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本神奈川县
号牌文件序号 : 101723804478
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101361506
登记生效日 : 20151028
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 株式会社索思未来
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本神奈川县
2010-09-22 ：
授权
2007-09-05 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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