过孔和跳孔结构

授权

摘要

本发明涉及过孔和跳孔结构。本发明一般地涉及半导体结构，更特别地，涉及过孔和跳孔结构以及制造的方法。所述方法包括：在硬掩模材料中形成多个开口；使用阻挡材料阻挡所述硬掩模材料中的多个开口中的至少一者；穿过未被所述阻挡材料阻挡的所述多个开口中的另一者，蚀刻到金属化特征叠层中的金属化特征的跳孔；以及通过自底向上填充方法至少部分地填充跳孔。

基本信息

专利标题：

过孔和跳孔结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108933081A

申请号：

CN201710895576.2

公开（公告）日：

2018-12-04

申请日：

2017-09-28

授权号：

CN108933081B

授权日：

2022-04-12

发明人：

张洵渊裴东斐F·W·蒙特

申请人：

格芯公司

申请人地址：

开曼群岛大开曼岛

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥

优先权：

CN201710895576.2

主分类号：

H01L21/033

IPC分类号：

H01L21/033 H01L21/60 H01L23/522

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/027

未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜

H01L21/033

包括无机层的

法律状态

2022-04-12 ：

授权

2020-12-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/033
登记生效日 : 20201203
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州

2018-12-28 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20170928

2018-12-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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