用于自对准接触的混合膜方案
公开
摘要
本申请公开了用于自对准接触的混合膜方案。一种形成半导体器件的方法包括：形成突出得高于衬底的鳍；在鳍之上形成金属栅极，金属栅极被电介质层包围；蚀刻金属栅极以降低金属栅极的高度，其中，在进行蚀刻之后，在金属栅极之上且在金属栅极的栅极间隔件之间形成了凹部；用半导体材料对凹部的侧壁和底部加衬里；通过在半导体材料之上形成电介质材料来填充凹部；在金属栅极之上形成掩模层，其中，掩模层的第一开口位于电介质层的与金属栅极相邻的一部分的正上方；去除电介质层的所述一部分以在电介质层中形成第二开口，第二开口暴露了下层源极/漏极区域；以及用导电材料填充第二开口。
基本信息
专利标题 ：
用于自对准接触的混合膜方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628505A
申请号 ：
CN202210005428.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕建宏何彩蓉谢博全施伯铮李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202210005428.X
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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