用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案
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摘要
一种方法包括蚀刻混合衬底以形成延伸至混合衬底中的凹槽。混合衬底包括具有第一表面取向的第一半导体层、位于第一半导体层上方的介电层以及具有与第一表面取向不同的第二表面取向的第二半导体层。在蚀刻之后，第一半导体层的顶面暴露于凹槽。间隔件形成在凹槽的侧壁上。间隔件接触介电层的侧壁和第二半导体层的侧壁。进行外延以从第一半导体层生长外延半导体区域。去除间隔件。本发明实施例涉及用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案。
基本信息
专利标题 ：
用于提高p型和N型FinFET性能的混合方案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427892A
申请号 ：
CN201711190759.0
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2017-11-24
授权号 ：
CN109427892B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
江国诚朱熙甯蔡庆威程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201711190759.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171124
申请日 : 20171124
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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