一种单片集成GaN/Ga2O
公开
摘要
本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582862A
申请号 ：
CN202210221722.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵胜雷刘爽张进成舒磊赵杜钧李同德王亮赵元富郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
北京圣州专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐晟逸
优先权 ：
CN202210221722.4
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L21/8258
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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