用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置。本实用新型提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵；电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接；射频源与电感线圈连接；机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中，当显示电流为零时，二维电子气沟道被关断，达到刻蚀终点，避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道，实现精准刻蚀。本实用新型仅额外接一个电流检测装置，无需增添额外的操作步骤，即可实现精确刻蚀，操作简便，有利于提高增强型HEMT器件产品良率，具有很高的实用价值。
基本信息
专利标题 ：
用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920419968.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209929264U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
李国强孙佩椰刘智崑万利军陈丁波阙显沣姚书南李润泽
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201920419968.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/3065 H01L29/423 H01L29/778 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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