台面型光电子器件的刻蚀结构
授权
摘要
本实用新型是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中,在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题,或采用湿法腐蚀易使刻蚀区域侧向腐蚀比较严重,使得台面单元的有效区域减小影响产品最终性能的技术问题提供一种台面型光电子器件的刻蚀结构,此结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域,在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构,刻蚀负载结构使大间距刻蚀区域的刻蚀间距减小,采用本实用新型结构可通过一次光刻完成光电子器件台面的刻蚀,减少了光刻次数,降低了工艺复杂程度,得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
基本信息
专利标题 :
台面型光电子器件的刻蚀结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220335150.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
CN216749889U
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
刘志方
申请人 :
浙江拓感科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海昌街道谷水路306号A18二层
代理机构 :
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 :
赵俊宏
优先权 :
CN202220335150.8
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544 H01L31/0236
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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