本实用新型是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题，或采用湿法腐蚀易使刻蚀区域侧向腐蚀比较严重，使得台面单元的有效区域减小影响产品最终性能的技术问题提供一种台面型光电子器件的刻蚀结构，此结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，刻蚀负载结构使大间距刻蚀区域的刻蚀间距减小，采用本实用新型结构可通过一次光刻完成光电子器件台面的刻蚀，减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。