本发明提供了一种双色红外焦平面探测器及其台面刻蚀工艺方法，所述台面刻蚀工艺方法包括步骤：S1，在所述外延结构上旋涂光刻胶；S2，使用半色调掩膜版对所述外延结构进行曝光，所述外延结构曝光后形成第一区域和与第二区域；S3，通过刻蚀气体进行第一次干法刻蚀；S4，通过O₂等离子体去除光刻胶的位于第二区域以下的所有部分；S5，通过刻蚀气体进行第二次干法刻蚀；S6，通过去胶剥离工艺去除光刻胶。在本申请通过半色调掩膜版实现了外延结构上需要深刻蚀部分的完全曝光和需要浅刻蚀部分的半曝光。且在整个刻蚀工艺过程中，仅通过一次光刻工艺、两次干法刻蚀工艺即可实现不同部分的不同深度刻蚀，从而简化了刻蚀工艺流程，由此提高了生产效率。