一种N极性III-V族半导体材料的干法刻蚀工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种N极性III‑V族半导体材料的干法刻蚀工艺，涉及半导体材料技术领域。本发明所述干法刻蚀工艺为：对N极性III‑V族半导体材料进行ICP刻蚀，工作气体包含三氯化硼、氯气、氩气和含氟离子的刻蚀气体。本发明通过对工作气体的种类进行选择，使得刻蚀后的半导体材料的表面更为光滑、杂质较少。
基本信息
专利标题 ：
一种N极性III-V族半导体材料的干法刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551234A
申请号 ：
CN202210098255.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛晓明李成果尹雪兵曾巧玉陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
薛梦
优先权 ：
CN202210098255.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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