光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构
实质审查的生效
摘要
本发明是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中,在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题提供一种光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构,制备方法指在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构,通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域,刻蚀结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域,在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构,采用本发明提供的光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构减少了光刻次数,降低了工艺复杂程度,得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。
基本信息
专利标题 :
光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114530527A
申请号 :
CN202210152136.9
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘志方
申请人 :
浙江拓感科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海昌街道谷水路306号A18二层
代理机构 :
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 :
赵俊宏
优先权 :
CN202210152136.9
主分类号 :
H01L31/18
IPC分类号 :
H01L31/18 H01L23/544 H01L31/0236
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220218
申请日 : 20220218
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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