本发明是针对现有技术在超晶格红外焦平面阵列制备过程中，在通过一次光刻后采用干法刻蚀易造成成像元间小间距和芯片间大间距的刻蚀深度不一致的问题提供一种光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构，制备方法指在大间距刻蚀区域设置刻蚀负载结构，通过刻蚀负载结构将大间距刻蚀区域分成至少两个分刻蚀区域，刻蚀结构包括大间距刻蚀区域和小间距刻蚀区域，在大间距刻蚀区域内设置有刻蚀负载结构，采用本发明提供的光电子器件台面的制备方法及台面型光电子器件的刻蚀结构减少了光刻次数，降低了工艺复杂程度，得到的光电子器件台面的尺寸和采用两次刻蚀工艺得到的光电子器件台面的尺寸精度一致。