阻隔膜及其制备方法、量子点膜及其制备方法、电子器件

授权

摘要

本发明公开了阻隔膜及其制备方法、量子点膜及其制备方法、电子器件。其中，阻隔膜包括基层以及设于基层表面的网络状底涂层，底涂层形成多个具有开口的网格，各网格内填充有用于阻隔水汽或氧气的阻隔树脂，底涂层的顶部的至少一部分未被阻隔树脂覆盖。在阻隔膜的基层上引入网络状的底涂层，将阻隔树脂填充在底涂层形成的网格内，从而在基层上获得了剥离力强弱交替的阻隔层，大幅提高了阻隔膜的剥离强度。

基本信息

专利标题：

阻隔膜及其制备方法、量子点膜及其制备方法、电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110105606A

申请号：

CN201910328344.8

公开（公告）日：

2019-08-09

申请日：

2019-04-23

授权号：

CN110105606B

授权日：

2022-05-17

发明人：

康永印赵飞

申请人：

纳晶科技股份有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

胡拥军

优先权：

CN201910328344.8

主分类号：

C08J7/04

IPC分类号：

C08J7/04 C08L67/02 C09D175/04 C09D129/04 C09D4/06 C09D4/02 B32B27/36 B32B27/30 B32B27/40 B32B27/20 B32B7/12 B32B3/26 B32B3/08 B32B33/00