用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
基本信息
专利标题 ：
用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1741259A
申请号 ：
CN200510029961.6
公开（公告）日 ：
2006-03-01
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶振华胡晓宁陈兴国丁瑞军何力
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市玉田路500号
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
田申荣
优先权 ：
CN200510029961.6
主分类号 ：
H01L21/467
IPC分类号 ：
H01L21/467 H01L21/469 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/461
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/465
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/467
应用掩膜的
法律状态
2011-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101147915496
IPC(主分类) : H01L 21/467
专利号 : ZL2005100299616
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20100923
号牌文件序号 : 101147915496
IPC(主分类) : H01L 21/467
专利号 : ZL2005100299616
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20100923
2008-01-30 ：
授权
2006-04-26 ：
实质审查的生效
2006-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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