一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用。所述HEMT器件包括外延结构，包括第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气；以及形成在所述第二半导体层上的源极、漏极和栅极，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间；其中，在所述栅极和第二半导体层之间还设置有铁电层，所述铁电层由六方晶型的铁电材料形成，其至少用于耗尽所述栅极下方的二维电子气，从而实现HEMT器件增强型功能和阈值电压的调控。本发明中提供的一种结合六方晶型的铁电材料制备而成的增强型GaN基HEMT器件，阈值电压稳定性好，制备工艺简单。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464677A
申请号 ：
CN202210128236.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭炜赵紫辉叶继春
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202210128236.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L27/085 H01L29/51
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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