一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底表面生长外延结构；在p‑GaN层远离AlGaN势垒层一侧的表面刻蚀第一凹槽，并沉积SiN层；在SiN层远离p‑GaN层一侧的表面键合第二衬底；翻转样品后，刻蚀掉第一衬底、GaN缓冲层及GaN层，并在AlGaN势垒层的第一预设区域、第二预设区域制作源、漏电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面刻蚀第二凹槽，并制作栅电极；在AlGaN势垒层远离第二衬底的一侧表面生长SiN保护层，并在SiN保护层上光刻金属互联层开孔区后引出电极。该方法能够改善空穴的迁移率，进而使制得的p沟道GaN器件的性能得以提升。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型N面GaN基p沟道器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520145A
申请号 ：
CN202210013551.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
侯斌牛雪锐王博麟杨凌武玫张濛王冲马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210013551.6
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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