适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法
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摘要
本发明公开了一种适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法，适用于氮化镓器件的技术领域；首先将基于增强型氮化镓高电子迁移率晶体管eGaN HEM的半桥电路中续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通的过程划分为数个阶段；确定半桥电路中点到负载中点的电流方向并判断主开关管和续流管；获取半桥电路及eGaN HEMT的参数信息；求得开关各个阶段的方程组的数值解；通过数值解得到开关过程中每个阶段的持续时间；根据开关过程各阶段的持续时间计算出续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通过程的最优死区；根据计算出的最优死区，结合电路实际情况进行死区优化设置。实施过程简便，精确度较高，并且具有广泛的实用性。
基本信息
专利标题 ：
适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113131723A
申请号 ：
CN202110406715.7
公开（公告）日 ：
2021-07-16
申请日 ：
2021-04-15
授权号 ：
CN113131723B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
耿乙文陈方诺陈翔洪冬颖韩鹏杨尚鑫马立亚李贺龙
申请人 ：
中国矿业大学
申请人地址 ：
江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学南湖校区
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
李悦声
优先权 ：
CN202110406715.7
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H02M3/155
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-08-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/00
申请日 : 20210415
申请日 : 20210415
2021-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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