一种增强型MIS-GaN器件
实质审查的生效
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种增强型MIS‑GaN器件，用于解决现有增强型GaN器件存在的如阈值电压低、栅压摆幅窄、栅极漏电大、阈值电压受p‑GaN或p‑AlGa N掺杂浓度影响等诸多问题。本发明利用宽禁带P型或N型半导体耗尽其下方的高浓度二维电子气，同时，在宽禁带半导体上设置介质层、介质层上设置金属栅电极，从而形成宽禁带半导体层/绝缘介质层/金属栅极的三层特殊MIS结构；基于该特殊MIS结构，使得本发明增强型MIS‑GaN器件具有阈值电压高、栅压摆幅大、栅极漏电低、沟道比导通电阻小、阈值电压一致性高、工艺简单等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种增强型MIS-GaN器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520262A
申请号 ：
CN202210146339.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
易波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
甘茂
优先权 ：
CN202210146339.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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